三菱電機、福岡市に開発試作棟建設
三菱電機は15日、パワー半導体の開発・製造を行うパワーデバイス製作所（福岡県福岡市）に、新たに「開発試作棟」を建設すると発表した。
投資額は約45億円で、稼働開始は2022年9月を予定。需要が拡大しているパワー半導体の開発体制を強化する。
近年、低炭素社会実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく制御するパワー半導体の需要が拡大・多様化している。
今回の開発試作棟建設により、敷地内に分散していた開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室、分析評価機能を1カ所に集結させることで、新技術・新製品の開発を加速させる。
新棟概要
所在地：福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号（パワーデバイス製作所内）
投資総額：約45億円
建築面積：約1,640㎡
延床面積：約10,350㎡
構造：鉄骨（S）造、地上6階建
主な設備：開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室
環境・省エネ対策：・高効率機器導入（空調機・換気設備・変圧器）
・人感センサ、照度センサ付きLED照明設置
・建物内装への木質材料使用
竣工予定：2022年8月
稼働開始予定：2022年9月
