タワーセミコンダクター、日本で半導体向け総事業6000億円超投資

タワーセミコンダクターは7月14日、日本政府の支援を受け、富山県魚津市と新潟県妙高市で300mmシリコンフォトニクス（SiPho）とシリコンゲルマニウム（SiGe）、先端パッケージングの研究開発・製造能力を拡充する戦略的投資計画を発表した。

AIデータセンター向けなどで光半導体需要の拡大が見込まれる中、日本とグローバル市場の中長期需要に対応し、日本の製造基盤を強化する。

投資額は政府支援を考慮したネットベースで最大30億米ドルとし、最大1,600億円の支援を含めた総事業規模は6,000億円超を見込む。

第1段階として、旧Fab 6の新井工場（妙高市）を300mm SiPhoと先端パッケージングのプラットフォームとして活用し、魚津市のFab 7の300mm能力も最大限に使う。2027年第4四半期中に量産能力を確立する計画。

第2段階として、契約締結などを経て、Fab 7に隣接する新たな300mm製造施設の建設を計画。新施設でSiPhoとSiGeの生産能力を大幅に拡大し、AI・データセンター用途や次世代光接続技術の需要増に対応する。2029年以降の収益貢献を見込む。